型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=170mA P=325mW
8686
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描述:
N-沟道 30 V 4.5 Ohm 0.34 nC 表面贴装 Trench Mosfet - SOT-23
3722
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描述:
60V, N-channel Trench MOSFET
8679
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描述:
Nexperia Si P沟道 MOSFET NX3008PBK,215, 230 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
3063
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描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=190mA P=325mW
3114
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描述:
单管二极管 齐纳, 6.8 V, 250 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C
5083
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描述:
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
5944
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描述:
PBHV9040T 系列 500 V 0.25 A 表面贴装 PNP 高压 低VCEsat (BISS) 晶体管
8989
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描述:
NXP PBHV9115T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=150 V, HFE:100, 3引脚 SOT-23封装
4637
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描述:
Nexperia PBSS4032NT,215 , NPN 晶体管, 2.6 A, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
5096
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描述:
PBSS4240T - 40V; 2A NPN low VCEsat (BISS) transistor
2921
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描述:
Nexperia PBSS5120T,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=20 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
5144
-
描述:
PBSS5240T - 40V, 2A PNP low VCEsat (BISS) transistor
8080
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描述:
Nexperia PBSS5230T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:100, 200 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
4003
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描述:
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
4995
-
描述:
Nexperia PDTA143TT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
6062
-
描述:
TRANS PREBIAS PNP 0.25W(1/4W) TO236AB
5337
-
描述:
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA
8449
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描述:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
7616
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描述:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11
6207
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描述:
NXP PDTC123YT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
7379
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描述:
Nexperia PDTC115TT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
9717
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描述:
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11
2835
-
描述:
TRANS PREBIAS NPN 0.25W(1/4W) TO236AB
5508
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描述:
Nexperia PDTD113ET,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
9397
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描述:
PDTC144W 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3
5222
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描述:
PDTC124X 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-323
8471
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描述:
Nexperia PDTC143TT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
5071
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